ALPHA Plasma等离子去胶机处理前后效果对比

本次测试采用ALPHA Plasma 微波等离子去胶机Q150。

有考虑采用微波等离子去胶机Q235和Q240的客户也可参考。

1、Wafer 表面涂胶前预处理

等离子清洗处理前（水滴角约 75 度）- 石英片

Alpha plasma等离子清洗1分钟以后（水滴角0度）

2.Wafer晶圆去胶

A.  Alpha plasma微波等离子去胶前后对比 （ 3um 光刻胶） - 玻璃片

     微波等离子去胶后                                          微波等离子去胶去胶前

B.  去胶前后对比 3.2um 光刻胶 – SiC                     

                         微波等离子去胶后                                                                               微波等离子去胶前

C.  去胶前后对比- 硅片 3inch 硅 wafer

                                微波等离子去胶前                                                            微波等离子去胶去胶后


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