ALPHA Plasma等离子去胶机处理前后效果对比
本次测试采用ALPHA Plasma 微波等离子去胶机Q150。
有考虑采用微波等离子去胶机Q235和Q240的客户也可参考。
1、Wafer 表面涂胶前预处理
等离子清洗处理前(水滴角约 75 度)- 石英片
Alpha plasma等离子清洗1分钟以后(水滴角0度)
2.Wafer晶圆去胶
A. Alpha plasma微波等离子去胶前后对比 ( 3um 光刻胶) - 玻璃片
微波等离子去胶后 微波等离子去胶去胶前
B. 去胶前后对比 3.2um 光刻胶 – SiC
微波等离子去胶后 微波等离子去胶前
C. 去胶前后对比- 硅片 3inch 硅 wafer
微波等离子去胶前 微波等离子去胶去胶后
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